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氮化铝精密陶瓷材料用在产品当中的优势(图)

编辑:科众精密陶瓷厂 日期:20-09-29 阅读:21次

近年来,半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素,而绝缘基板的导热性是影响整体半导体器件散热的关键。随着行业的不断变化,氮化铝精密陶 ...

近年来,半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素,而绝缘基板的导热性是影响整体半导体器件散热的关键。随着行业的不断变化,氮化铝精密陶瓷电路板开始成为更多合作企业的认可,下面科众陶瓷为大家介绍一下氮化铝精密陶瓷材料用在产品当中的优势。


氮化铝精密陶瓷最高可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层,能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝陶瓷电路板还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成,产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成,产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。往往我们所熟知的就是氮化铝精密陶瓷+3H2O==催化剂===Al(OH)3↓+NH3↑


氮化铝精密陶瓷零件

氮化铝精密陶瓷零件


而同样,我们在了解了氮化铝这个概念后,就该更加清楚斯利通氮化铝AIN氮化铝陶瓷电路板的特性:


(1)热导率高(约320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;


(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;


氮化铝精密陶瓷

氮化铝精密陶瓷


(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;


(4)机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;


(5)纯度高;


(6)光传输特性好;


(7)无毒;


(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。


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