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氮化铝精密陶瓷为什么在半导体芯片上如此受欢迎

编辑:科众精密陶瓷厂 日期:20-08-03 阅读:37次

在以前的制造业当中,半导体行业也算是经历很多的发展。在电子电器行业领域中,具有优异电绝缘性和机械强度的氮化铝陶瓷基板被广泛的应用在半导体芯片和电子元件上。那么为什么精密氮化铝陶瓷在半导体芯片上如此受欢 ...

在以前的制造业当中,半导体行业也算是经历很多的发展。在电子电器行业领域中,具有优异电绝缘性和机械强度的氮化铝陶瓷基板被广泛的应用在半导体芯片和电子元件上。那么为什么精密氮化铝陶瓷在半导体芯片上如此受欢迎呢?下面科众陶瓷为大家解答。


精密陶瓷基板

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然而,随着电子设备和仪器的小型化和轻量化,以及混合集成的大量增加,基板上每单位面积所需的散热量正在增加,尤其是在高功率电路中。氧化铝陶瓷的导热系数相对较差,室温下导热系数约为15-35W/(m.k),不足以满足超高功率的散热要求。在这种情况下,人们在高散热密度部分使用所谓的复合结构基板、氧化铍陶瓷板或钼基板,而在其他部分仍然使用氧化铝陶瓷基板以满足高散热密度的要求。然而,复合结构基板的价格、电性能和热性能并不十分令人满意,因此迫切需要开发适用于高集成度和高散热混合集成电路的陶瓷基板。于是氮化铝陶瓷基板应运而生。氮化铝陶瓷基板是解决高散热密度问题的一种新型陶瓷基板,最适合半导体芯片安装。


氮化铝是一种具有六方纤锌矿晶体结构的非天然人造晶体。它是一种共价键强、重量轻、强度高、耐热性和耐腐蚀性高的化合物。它被用作熔化铝的坩埚。


虽然铝是一种半导体,但它的禁带宽度可以根据电特性,如电强度、体电阻率和介电系数,完全分为绝缘体。因此,一些人利用其压电特性来开发压电陶瓷。


事实上,氮化铝单晶的热导率约为250瓦/(米克)。理论上,室温下氮化铝单晶的热导率可达320W/(m.k)。因此,氮化铝材料非常适合制造高散热基板。氮化铝陶瓷的化学稳定性对水、有机溶剂、碱稳定,对酸腐蚀弱。在两个大气压,121和蒸汽气氛下,经过压缩和密封处理后,可以观察到衬底的重量随着时间的增加而增加。这是因为AIO(氢氧化物)在基底表面生成,并作为保护层阻止反应继续进行。测试后,基板的绝缘电阻仍高达31011.保持良好的绝缘性能。氮化铝陶瓷不仅可以加工氧化铝陶瓷等生坯中的通孔,还可以在烧制后进行激光打孔。


以上就是科众陶瓷为大家带来的内容,随着一些应用上的这些问题的不断更新,不断解决,氮化铝陶瓷将继续扩大其应用领域。


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